この記事の動機(背景など) CR分布定数理論 ゲート内部抵抗の集中定数近似 両端電位固定時の内部抵抗 この記事の動機(背景など) MOSのゲート電極はPoly Siで形成されていることが多い。Poly Siの抵抗率はCuやAlなどの金属より大きいため、MOSのゲート駆動…
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