N+とかn-とか

パワエレをやると、必ずパワー半導体の特性が重要になってくるようです。
特にEMCをやると、パワー半導体の特性によって電流・電圧の立ち上がり方が変わり、立ち上がり方次第で高周波ノイズの出方が変わるので、気に掛ける必要があります。

というわけで、パワーMOSFETなどを勉強してみました。

パワー半導体の教科書を見るとN+とかn-とかそういった記号がよく出てきます。
http://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%83%95%E3%82%A1%E3%82%A4%E3%83%AB:Vdmos_cross_section_en.svg

これは一体なんだろうかと思い、Googleで調べてみると、下記の記事を発見。
http://oshiete.goo.ne.jp/qa/927608.html

どうやら不純物濃度が高いときに+が、低いときに-が使われているようです。

不純物濃度がどのように特性に効いてくるのかは、よく分かっていません。これはパワーデバイス屋さんの範疇になるのかな。