MOSFETは電界をかけると、チャネルが反転して導通することができます。
電界はチャネルとゲートに電位差を与えることにより与えます。
この場合、4端子のMOSFETとなります。4端子目はバルクと呼ばれたりするようです。
ソース端子をp層半導体と同電位となるようにします。すると、ソースとゲートの間の電圧で電界を掛けることができ、ソース-ゲート間の電位差でON/OFFを制御できるようになります。
この場合、3端子のMOSFETとなります。3端子になると、ソースとドレインとの間にpn接合があることになるため、ダイオードがあることと等価になります。これがMOSFETに寄生した内蔵ダイオードになります。
